技術(shù)編號(hào)：3417962
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種CuCiO2薄膜的制備方法，特別涉及一種用溶膠凝膠法制備CuCrO2 薄膜的方法。背景技術(shù)1997年Kawazoe等報(bào)道了銅鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物CuAlO2薄膜是一種寬帶隙ρ型透明導(dǎo)電氧化物transparent Conducting Oxide，TC0)，從而激起了銅鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物的研究熱潮。銅鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物ABO2*寬帶隙半導(dǎo)體(Eg> 3. leV)，其中A為Ag、Cu等一價(jià)金屬離子，B為Al、Cr、Y、k等三價(jià)金屬離子。銅鐵礦結(jié)構(gòu)ρ型...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。