技術編號:3416611
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體加工處理,具體涉及一種反應腔室控溫裝置及應用該反應腔室控溫裝置的半導體處理設備。背景技術金屬有機化學氣相生長(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition,簡稱為MOCVD)技術,因其具有沉積薄膜成分易控、膜均勻致密以及附著力好等優(yōu)點而逐漸成為工業(yè)界主要的沉積薄膜技術。所謂MOCVD技術是指,利用金屬有機化合物(Metal Organic,簡稱為MO)作為源物質的一種化學氣相生長技術,其原理為使有機金屬氣體在...
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