技術(shù)編號：3415880
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種薄膜取向生長的方法。具體涉及一種脈沖激光沉積Si基VO2薄膜取向生長的方法。背景技術(shù) VO2薄膜由于其優(yōu)異的光電性能與熱敏特性越來越受到人們的重視，是近二十年來國內(nèi)外的研究熱點(diǎn)。VO2薄膜已廣泛應(yīng)用于激光防護(hù)、光電開關(guān)器件與紅外探測器，在紅外探測器應(yīng)用方面，采用在Si襯底上生長取向VO2薄膜，有利于將大面積的VO2探測器陣列與Si基信號讀出與處理部件進(jìn)行單片集成。由于晶格失配引起界面處高密度的位錯，在薄膜中產(chǎn)生大量缺陷，影響了薄膜的質(zhì)量與器件...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。