技術編號：3415800
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種。背景技術在半導體集成電路制造工藝中，隨著半導體器件的特征尺寸的不斷減少，現(xiàn)有器件的隔離技術大量采用淺溝槽絕緣技術(STI shallow trench isolation),現(xiàn)有STI工藝是在硅片即晶圓上先形成一淺溝槽，然后再在所述淺溝槽中填入絕緣介質層如二氧化硅形 成的，最后通過化學機械研磨工藝對所述絕緣介質層進行研磨使所述淺溝槽上的絕緣介質層平坦化?，F(xiàn)有STI中的淺溝槽的深度一般為O. 35 μ...
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