技術(shù)編號：3415728
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及功率溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOS)制作工藝。背景技術(shù)功率溝槽式MOS場效應(yīng)管是在平面式MOS場效應(yīng)管基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新型功率 MOS管，具備導(dǎo)通電阻小、飽和電壓低、開關(guān)速度快、溝道密度高、芯片尺寸小等優(yōu)點，是中低壓功率MOS場效應(yīng)管發(fā)展的主流，所述中低壓范圍通常為20V 300V之間。圖1為現(xiàn)有一種溝槽式功率MOS場效應(yīng)管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。該溝槽式功率MOS 場效應(yīng)管10在N+硅襯底11上生長有一層N—外延層...
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