技術(shù)編號(hào)：3415668
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在對(duì)半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行研磨后，進(jìn)行切割而形成半導(dǎo)體芯片的過程中，用于防止半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生破損、變形等的。背景技術(shù) 如圖14所示，對(duì)在由通道S劃分的多個(gè)區(qū)域C中形成了電路的半導(dǎo)體晶片W的背面進(jìn)行研磨，形成期望的厚度之后，將通道S縱橫地切割而形成IC、LSI等的半導(dǎo)體芯片。在對(duì)背面進(jìn)行研磨時(shí)，由于表面?zhèn)缺谎心パb置保持，所以為了保護(hù)表面上形成的電路，通常在表面上粘貼保護(hù)帶。此外，為了實(shí)現(xiàn)各種電子裝置的小型化、薄型化，在將半導(dǎo)體晶片W的厚度例...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。