技術(shù)編號：3414404
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體晶圓等被處理體上形成氧化硅膜(SiA膜)的成膜方法和成膜裝置。背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件中，例如在柵電極側(cè)壁部的側(cè)壁間隔層(sidewall spacer)、LDD離子注入的偏移間隔層(offset-spacer)等中大多使用氧化硅膜(SiO2膜)。在形成SiO2膜時，使用以下的技術(shù)，即，利用立式的批量式熱處理裝置對多個半導(dǎo)體晶圓一并通過化學(xué)蒸鍍法(CVD)成膜。近年來，隨著半導(dǎo)體器件的微細化、集成化的發(fā)展，也要求縮短柵極長度，從更加嚴格地防止...
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