技術(shù)編號：3414046
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種等離子體輔助式化學(xué)氣相沉積裝置，尤其指一種具有可縮短射頻回流路徑的連接裝置的等離子體輔助式化學(xué)氣相沉積裝置。背景技術(shù)于半導(dǎo)體、平面顯示器以及太陽能等產(chǎn)業(yè)中，等離子體輔助式化學(xué)氣相沉積(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)是一常見應(yīng)用于成膜方面的技術(shù)。一般的等離子體輔助式化學(xué)氣相沉積裝置是利用兩電極板以及一射頻來源，于一制備腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子體輔助式化學(xué)氣相沉積反應(yīng)，以于一基板上產(chǎn)生...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。