技術編號：3413955
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種碳組件以及制造該碳組件的方法，更具體而言，涉及用于具有氣體導入用孔道的CVD基座且具有陶瓷涂層的碳組件以及制造該碳組件的方法。背景技術在用于外延生長硅或化合物半導體晶片的CVD系統(tǒng)中，基座用來在其上載放晶片。該基座中通常使用導電性石墨基材，從而通過感應加熱來產生熱量。由于石墨顯示出較低的電阻、較高的耐熱性和化學穩(wěn)定性，其可優(yōu)選用于此類CVD系統(tǒng)領域。然而，由于處理速率對外延生長是重要的，因此在CVD系統(tǒng)內部得到充分冷卻之前甚至在相對較高的溫度...
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