技術編號：3413290
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明有關離子注入，特別是有關低溫離子注入。 背景技術目前已發(fā)現在離子注入時維持較低的襯底(substrate)溫度對于淺接面的形成可能有幫助，特別是對于半導體的持續(xù)縮小化越來越重要的超淺接面；其亦可能對提升離子注入的良率有幫助。傳統(tǒng)的低溫離子注入開始時會在注入程序前將一襯底由外界環(huán)境，例如大氣環(huán)境，移入注入機(implanter)。如圖Ia所示，接著進行冷卻程序(由時間t。到時間、)， 以使襯底溫度從環(huán)境溫度(Τκ)，例如約為15 25°C，降至大約為一...
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