技術(shù)編號(hào):3411836
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于在制造電子裝置(例如磁存儲(chǔ)介質(zhì)、半導(dǎo)體裝置或顯示裝置)的處理中沉積材料的濺射設(shè)備以及一種使用濺射設(shè)備來(lái)制造電子裝置的方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體元件的小型化,對(duì)于沉積特性的要求變得更嚴(yán)格。例如,門(mén)絕緣薄膜需要有非常小的厚度。還有,例如形成于非常 薄的絕緣薄膜上的薄電極薄膜需要穩(wěn)定地沉積。而且,由于關(guān)注到由在各薄膜或在薄膜之間的交界面處的雜質(zhì)(例如碳)對(duì)元件性能產(chǎn)生不利影響,因此需要更低的雜質(zhì)水平。用作一種沉積方法的濺射方法能夠沉積高質(zhì)量薄膜,...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。