技術(shù)編號(hào):3411547
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及等離子體CVD裝置(等離子體化學(xué)蒸鍍裝置)、及使用等離子體CVD法的硅薄膜的制造方法。特別涉及用于形成在硅薄膜太陽(yáng)能電池、和硅薄膜晶體管等中利用的硅薄膜的等離子體CVD裝置、及使用等離子體CVD法的硅薄膜的制造方法。背景技術(shù)與成為太陽(yáng)能電池的主流的單晶硅太陽(yáng)能電池或多晶硅太陽(yáng)能電池相比,薄膜硅太陽(yáng)能電池由于不使用昂貴的硅基板,對(duì)成本減少也有利,因此,作為下一代的太陽(yáng)能電池受到關(guān)注。作為薄膜硅太陽(yáng)能電池中使用的非晶硅薄膜的制造方法,已知使用平行平板...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。