技術(shù)編號(hào):3411336
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及結(jié)晶性硅膜的成膜方法和等離子體CVD裝置。技術(shù)背景結(jié)晶性硅是能夠進(jìn)行高濃度摻雜的物質(zhì),例如在二極管等半導(dǎo)體元件中被廣泛使用。在結(jié)晶性硅膜的制造中,利用熱CVD法、和使用由高頻激勵(lì)的等離子體的等離子體CVD 法。熱CVD法和等離子體CVD法,在現(xiàn)狀下,從抑制進(jìn)行成膜的結(jié)晶性硅薄膜的缺陷的觀點(diǎn)出發(fā),在工業(yè)上作為原料氣體不使用甲硅烷(SiH4)以外的氣體。在等離子體CVD中為了使成膜速率變大,使作為原料氣體的SiH4的單位時(shí)間流量變大是有效的。但是,已...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。