技術(shù)編號(hào):3410709
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種對(duì)被處理體進(jìn)行處理的處理裝置。 背景技術(shù)在半導(dǎo)體裝置的制造工序中具有向半導(dǎo)體晶圓(下面稱(chēng)為晶圓)供給氣體而利用例如CVD(Chemical Vapor Deposition)進(jìn)行成膜的工序、向晶圓供給氣體并利用該氣體對(duì)晶圓表面的膜進(jìn)行蝕刻的工序。進(jìn)行這樣的工序的成膜或者蝕刻裝置包括用于收納晶圓的處理容器、在成膜或者蝕刻工序中使用的處理氣體的積存部、用于對(duì)處理容器內(nèi)進(jìn)行干洗的清潔氣體的積存部,各氣體的積存部通過(guò)包括氣體供給配管以及被設(shè)在該配管上...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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