技術(shù)編號：3405356
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備和方法。 背景技術(shù)通常通過在硅晶片上順序地沉積導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層或絕緣層來在襯底 上形成集成電路。 一種制造步驟包括在非平面表面上沉積填充物層，并對 填充物層進(jìn)行平面化直到暴露出非平面表面。例如，可以在圖案化的絕緣 層上沉積導(dǎo)體填充物來填充絕緣層中的溝槽或孔。然后對填充物層進(jìn)行拋 光，直到暴露出凸起的絕緣層。在平面化之后，絕緣層的凸起圖案之間保 留的導(dǎo)體層部分形成了過孔、插頭和導(dǎo)線，它們在襯底上的薄膜電路之間 提供導(dǎo)電路徑。另外，還...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。