技術(shù)編號：3403490
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般性地涉及在基底上形成和沉積絕緣膜的反應(yīng)等離子濺射沉積方法，更具體而言涉及使用與至少兩個(gè)陽極相連的交流電源的反應(yīng)等離子濺射方法，在濺射過程中所述兩個(gè)陽極被驅(qū)動交替呈負(fù)性和正性。背景技術(shù) 在傳統(tǒng)的直流濺射工藝中，靶或陰極必須是導(dǎo)電的，因?yàn)榈竭_(dá)靶的離子必須能夠接受來自靶的電子以再次變成中性氣體原子。如果靶是絕緣的，它的表面就會很快被到達(dá)的離子充電，這可能會產(chǎn)生阻滯電勢而使濺射過程停止。另一方面，可以通過和反應(yīng)性背景氣體反應(yīng)化學(xué)形成絕緣體的方式沉積來自金...
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