技術(shù)編號(hào)：3403236
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)一般地涉及晶片處理并且更具體地涉及用于晶片處理的系統(tǒng)和方法。背景技術(shù) 化學(xué)機(jī)械拋光或平面化(CMP)為拋光包括半導(dǎo)體基片和覆蓋在這樣的基片上的膜的材料的技術(shù)，提供高度均勻性和平面度。該過程用于移除在基片上制造微電子電路期間形成的膜上的突起特征，或者用于移除膜層以暴露埋在膜下面的電路。在一些情況中，該過程可以在半導(dǎo)體片上制造微電子電路之前平面化半導(dǎo)體片。一些傳統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械拋光過程使用具有定位在臺(tái)板上的單個(gè)的大的拋光墊的設(shè)備，基片靠在該拋光墊上定位以用于...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。