技術(shù)編號(hào)：3403000
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù) 化學(xué)氣相沉積(CVD)是一類常用于半導(dǎo)體工藝工業(yè)以在基板上沉積薄膜的技術(shù)。傳統(tǒng)的熱CVD工藝供應(yīng)反應(yīng)氣體到發(fā)生熱誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)以產(chǎn)生預(yù)定薄膜的基板表面。等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD)技術(shù)通過應(yīng)用射頻(RF)能量到靠近基板表面的反應(yīng)區(qū)來促進(jìn)反應(yīng)物氣體的激發(fā)與/或離解，從而產(chǎn)生等離子體。等離子體內(nèi)的高反應(yīng)物種可降低產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)所要求的能量，且因而相對(duì)于傳統(tǒng)的熱CVD工藝可降低這種CVD工藝所要求的溫度。這種優(yōu)點(diǎn)可通過高密度等離子體(HDP)CVD技術(shù)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。