技術(shù)編號(hào)：3402917
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體涉及用于改善半導(dǎo)體加工效果的方法和控制系統(tǒng)，尤其涉及用于檢測(cè)介電蝕刻終點(diǎn)的方法。背景技術(shù) 等離子體加工系統(tǒng)已經(jīng)被普遍應(yīng)用了一段時(shí)間。幾年來，采用電感耦合等離子體源、電子回旋共振(ECR)源、電容源(capacitivesource)等的等離子體加工系統(tǒng)已經(jīng)不同程度地被引入并應(yīng)用于加工半導(dǎo)體基板和玻璃板。在加工期間，通常涉及多個(gè)沉積和/或蝕刻步驟。在沉積期間，將材料沉積到基板表面上(如玻璃板或晶片的表面)。例如，包括各種形式的硅、二氧化硅、氮化硅、...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。