技術(shù)編號：3402717
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，尤其涉及使用氣體處理半導(dǎo)體襯底的。背景技術(shù) 一般的CVD裝置，通過在某段時間持續(xù)流入反應(yīng)氣體而在襯底上成膜。此時，為了消除由距氣體提供口的距離遠(yuǎn)近帶來的影響、且提高襯底面內(nèi)的膜厚均勻性，而使襯底旋轉(zhuǎn)。在這種情況下，一般地，與旋轉(zhuǎn)周期相比，成膜時間足夠長，且連續(xù)提供氣體，因此在成膜時要旋轉(zhuǎn)多次，因此，不需要對旋轉(zhuǎn)周期加以嚴(yán)密的考慮。發(fā)明內(nèi)容另一方面，在周期性地提供氣體的情況下，就需要考慮氣體提供周期與旋轉(zhuǎn)周期的關(guān)系。例如，稱為ALD(Atomic...
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