技術(shù)編號(hào):3401240
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及平面研磨裝置,本發(fā)明特別是涉及對(duì)半導(dǎo)體硅片(后面稱(chēng)為“硅片”)的表面平面,按照形成平整狀,并且形成鏡面的方式進(jìn)行研磨的平面研磨裝置。近年來(lái),隨著半導(dǎo)體器件的高集成化的進(jìn)行,電路的布線實(shí)現(xiàn)微細(xì)化,布線間的距離也變得更窄。下面通過(guò)附圖說(shuō)明圖11所示的硅片的剖視圖,對(duì)其中的硅片的制造方法的1個(gè)實(shí)例進(jìn)行描述。在通過(guò)刻蝕等方式進(jìn)行了槽加工的底層硅1的表面上,通過(guò)濺射等方式依次疊置阻擋金屬層2(比如,TaN)與布線材料層3(比如,Cu)(圖11(a),之后按...
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