技術(shù)編號：3401224
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請要求于1999年5月17日申請、系列號為60/134443的美國臨時專利申請的優(yōu)先權(quán)，這里引用該申請。本發(fā)明一般涉及化學(xué)汽相淀積系統(tǒng)，更具體涉及以基本相同的流量給化學(xué)汽相淀積系統(tǒng)中的多個通道提供氣體的改進氣體分配系統(tǒng)?；瘜W(xué)汽相淀積(CVD)系統(tǒng)已是眾所周知的，這種系統(tǒng)已廣泛應(yīng)用于在襯底的表面上淀積或生長不同成分的薄膜。例如，CVD系統(tǒng)一般用于在半導(dǎo)體晶片上淀積介質(zhì)層、鈍化層和摻雜劑層。CVD系統(tǒng)通過向其中放置了要處理的襯底的淀積室中引入反應(yīng)處理氣體或...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。