技術(shù)編號(hào)：3400957
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及監(jiān)視設(shè)備和監(jiān)視方法，用于監(jiān)視襯底、尤其是其上在半導(dǎo)體制造工藝中形成了半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片的拋光過程中的拋光條件，還涉及將此監(jiān)視設(shè)備引入其中的拋光裝置和半導(dǎo)體晶片的制造方法。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體集成電路的集成度的無限增加，用于制造這種電路的半導(dǎo)體工藝技術(shù)變得越來越精細(xì)，并且已經(jīng)從0.5微米時(shí)代進(jìn)入0.25微米時(shí)代。結(jié)果，增加了用在光刻曝光工藝中的曝光裝置的數(shù)值孔徑(NA)，結(jié)果，這種曝光裝置的焦深變得越來越淺。此外，還有一個(gè)明顯的傾向是器件結(jié)構(gòu)的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。