技術(shù)編號：3400939
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明總地涉及氣相沉積裝置，并且尤其涉及改進的氣相沉積裝置，用于高產(chǎn)率生產(chǎn)氮化物半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù) 以GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN等為代表的氮化物基III-V族化合物半導(dǎo)體晶體，具有直接躍遷型帶隙，并且有望被應(yīng)用于半導(dǎo)體激光器。InGaN混合晶體能夠進行由紅光到紫外光的發(fā)射，并且因此作為短波材料特別受到關(guān)注。這些晶體已經(jīng)在實際應(yīng)用中用作具有波長范圍為紫外光到綠光的發(fā)光二極管元件，并且用作藍紫色的激光二極管元件。通常，這些元件是利用CVD...
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