技術(shù)編號(hào):3400921
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于電子裝置制造中的濺鍍靶,特別是涉及將該濺鍍靶連接至一背板(backing plate)的方法,在淀積腔中由該背板支撐該濺鍍靶。背景技術(shù) 物理氣相淀積(PVD)是電子裝置制造中最常用的制程之一。PVD是在一個(gè)真空腔中進(jìn)行的等離子制程,在該真空腔中,負(fù)偏壓的靶曝露在包含具有較重原子(例如,氬氣)的惰性氣體的等離子中,或曝露在包含這類惰性氣體的混合氣體中。通過(guò)惰性氣體對(duì)靶的轟擊(或?yàn)R鍍)會(huì)造成靶材料的原子的發(fā)射。射出的原子會(huì)在真空腔內(nèi)的基板上累積為...
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