技術編號：3400679
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及。更具體地，涉及用來實現(xiàn)遷移率高的薄膜晶體管的結晶性能優(yōu)良的多晶態(tài)硅膜的制造方法和制造裝置、以及使用該多晶態(tài)硅膜的半導體裝置及其制造方法。硅膜的結晶性能和薄膜晶體管的遷移率的關系如下所述。通過激光熱處理得到的硅膜一般是多晶態(tài)的。多晶態(tài)的晶粒邊界處局部地存在晶體缺陷，它阻礙薄膜晶體管的活性層的載流子的移動。因此，為了提高薄膜晶體管的遷移率，應當減少載流子在活性層的移動中橫切晶界的次數(shù)，且減小晶體缺陷密度。激光熱處理的目的就是形成晶粒尺寸大且晶界處晶...
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