技術(shù)編號：3397962
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及例如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中使用的拋光裝置。通過拋光平面化襯底表面的技術(shù)已在包括半導(dǎo)體襯底制造工藝的許多領(lǐng)域中使用。近些年來，通過拋光平面化制造期間形成的如層間絕緣膜的表面不平整處等表面不平整處的CMP已用在半導(dǎo)體襯底上制備器件的工藝中。在CMP中，與拋光半導(dǎo)體襯底表面使用的由無紡織物組成的較軟拋光布不同，使用如泡沫聚氨酯等材料制成的硬拋光布平面化絕緣膜。要在襯底表面內(nèi)得到均勻的拋光，通常在硬墊下形成彈性的緩沖層。圖4A和4B示出了常規(guī)拋光裝置的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。