技術(shù)編號：3397924
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的設(shè)備和方法，具體地說，其涉及一種半導(dǎo)體器件制造設(shè)備及用于利用熱CVD(化學(xué)氣相淀積)方法在一個基片上淀積一層諸如銅或鋁的金屬層來形成一層諸如鈦氧化鍶層的高介電系數(shù)層，及一層諸如BST或TZT之類鐵電膜的方法。通常，在通過在一個布線圖案的溝槽中埋設(shè)銅金屬來加工布線(一種所謂的金屬鑲嵌銅布線)的過程中，要利用一種熱CVD設(shè)備將銅淀積在基片上。圖6所示為現(xiàn)有技術(shù)中的熱CVD設(shè)備的全視圖。如圖6所示，現(xiàn)有技術(shù)中的一個熱CVD設(shè)備具有一...
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