技術(shù)編號(hào)：3397125
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種薄膜制備方法，更準(zhǔn)確地說(shuō)，涉及一種利用原子層沉積(ALD)制備薄膜的方法。薄膜典型地用于半導(dǎo)體器件的介電體薄膜、液晶顯示器的透明導(dǎo)電膜或者電致發(fā)光薄膜顯示器的保護(hù)膜。這些薄膜是通過(guò)蒸鍍、化學(xué)氣相沉積或者ALD法制備的。ALD法是一種表面控制工藝，并通過(guò)膜的沉積而使用二維膜。通過(guò)ALD法可以在表面動(dòng)力學(xué)領(lǐng)域進(jìn)行沉積，所以逐次疊積性很優(yōu)異。另外，通過(guò)周期性地供給反應(yīng)劑同時(shí)不使其熱解，可以通過(guò)化學(xué)交換分解該反應(yīng)劑，從而所得的薄膜具有高的密度和精確的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。