技術(shù)編號(hào)：3396989
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用包括一個(gè)質(zhì)譜儀的殘留氣體分析儀-四極質(zhì)譜儀(RGA-QMS)的現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)視等離子體腐蝕裝置，和使用包括一個(gè)質(zhì)譜儀的RGA-QMS現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)視在等離子體腐蝕室內(nèi)進(jìn)行的多晶硅腐蝕工藝和腐蝕室內(nèi)的清潔工藝的方法。此外，本發(fā)明涉及通過(guò)使用RGA-QMS去除等離子體腐蝕室內(nèi)殘留物的現(xiàn)場(chǎng)清潔方法，通過(guò)監(jiān)視其內(nèi)的氣體反應(yīng)過(guò)程優(yōu)化腐蝕室內(nèi)的清潔工藝。一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體器件制造工藝在工藝室內(nèi)進(jìn)行，其中預(yù)先設(shè)定了具體的工藝條件并建立了工藝環(huán)境。具體地，等離子體腐蝕工藝和等...
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