技術編號：3395728
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及金屬有機化學氣相淀積(下文稱“MOCVD”)裝置及淀積方法。具體地講，本發(fā)明涉及在半導體基板上淀積高介電薄膜的MOCVD裝置，及使用此裝置的淀積方法。下一代的DRAM的記憶容量至少為1Giga，而傳統(tǒng)的薄膜不能提供足夠的容量。因為半導體的尺寸愈來愈小，三維電容器結構像鰭狀和圓柱狀的結構愈來愈不易制造，因為尺寸縮小必須同時減少單元區(qū)域。除此之外，薄膜厚度的減少會增加電源/漏極區(qū)(半導體元件上的不純區(qū)域)的泄漏電流，且引起軟錯誤，這是一種貯存在電容器...
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