技術編號：3394557
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明一般涉及通過化學汽相淀積在半導體基片上淀積材料所用的桶形反應器，尤其涉及一種調節(jié)這種桶形反應器的清洗系統(tǒng)的方法。本發(fā)明一般涉及的這類桶形反應器用于半導體基片上外延層的淀積。在半導體材料工業(yè)中外延是一種重要的工藝，它用于獲得必須的半導體材料的電學特性。例如，在重摻雜襯底上生長一層輕摻雜外延層，由于襯底的低電阻，可以優(yōu)化CMOS器件，防止閉鎖(Latch up)。其諸如摻雜濃度曲線的精確控制和排除氧氣這樣的優(yōu)點也可以獲得。載有要淀積到基片上的材料(例如硅...
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