技術(shù)編號：3394520
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在基片(襯底)上制作多層薄膜時所采用的光學(xué)膜厚測量方法、采用該光學(xué)膜厚測量方法的薄膜形成方法以及半導(dǎo)體激光器的制造方法。半導(dǎo)體激光器是利用外延晶體生長方法在基片上制作多層半導(dǎo)體薄膜而形成的。過去的這種晶體生長方法，通常是在試樣基片上形成規(guī)定的半導(dǎo)體膜層片，將試樣基片從反應(yīng)管內(nèi)取出，例如從半導(dǎo)體膜層的斷面上測量膜層厚度或者利用反射光譜來測量膜層厚度，根據(jù)上述半導(dǎo)體膜層厚度預(yù)先求出晶體生長速度，再根據(jù)該晶體生長速度和成膜時間來控制膜層厚度。但是，這種...
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