技術(shù)編號：3393193
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在將晶片表面的凹凸用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)進(jìn)行平整化時所用的研磨墊，具體來說，涉及在使用堿性料漿或酸性料漿的CMP中具有利用光學(xué)的機(jī)構(gòu)來檢測研磨狀況等的窗的研磨墊及使用了該研磨墊的半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù) 在制造半導(dǎo)體裝置時，進(jìn)行在晶片表面形成導(dǎo)電性膜并通過進(jìn)行光刻、蝕刻等形成配線層的工序；在配線層之上形成層間絕緣膜的工序等，由于這些工序的實(shí)施，在晶片表面會產(chǎn)生由金屬等導(dǎo)電體或絕緣體構(gòu)成的凹凸。近年來，雖然以半導(dǎo)體集成電路的高密度化為目...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。