技術(shù)編號：3390894
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明與集成電路結(jié)構(gòu)的互連有關(guān)，尤其是與大高寬比孔徑中噴鍍導(dǎo)體有關(guān)。當(dāng)集成電路結(jié)構(gòu)更加密集的時(shí)候，在各結(jié)構(gòu)之間就更需要用低電阻的金屬互連。在當(dāng)今工業(yè)中使用化學(xué)汽化鍍(CVD)鎢、蒸發(fā)摻以銅或硅的鋁和鈦或鈷的硅化物來提供這種互連。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)為了保持這些金屬的低阻性，必需在金屬和被接觸的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間應(yīng)有某種阻擋層。這些阻擋層防止了金屬和層下結(jié)構(gòu)之間的尖峰形成(spoknig)，同時(shí)也防止在金屬沉積期間能滲透進(jìn)層下結(jié)構(gòu)的非導(dǎo)電物質(zhì)的擴(kuò)散。例如，在化學(xué)汽化鍍鎢期間，...
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