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拋光狀態(tài)監(jiān)測設(shè)備及使用其的拋光設(shè)備的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:3389846

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本發(fā)明涉及一種用于測量待拋光物體例如半導體晶片的待拋光表面的特性值并確定拋光結(jié)束點時間的拋光狀態(tài)監(jiān)測設(shè)備以及具有該拋光狀態(tài)監(jiān)測設(shè)備的拋光設(shè)備。背景技術(shù)已知化學機械拋光(CMP)可以消除半導體晶片的表面的不規(guī)則性,從而使表面變平。在化學機械拋光的情況下,必須在待拋光膜例如層間絕緣膜變成所希望的厚度時完成拋光。而且,可能要求在除去待拋光膜并且基底停止膜或阻擋膜出現(xiàn)時完成拋光,如在STI(淺溝槽隔離)或銅布線膜的情況下就是這樣。作為滿足這些要求的裝置,已知拋光狀...
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