技術(shù)編號(hào)：3389556
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及基于等離子體的材料處理。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及在等離子體處理系統(tǒng)中電弧的控制和等離子體狀態(tài)轉(zhuǎn)換的控制。背景技術(shù) 許多制造工作采用等離子體處理。例如，增強(qiáng)等離子體氣相淀積(PVD)日益被用于薄金屬或非金屬膜的淀積。大多數(shù)PVD系統(tǒng)為陰極電弧型或?yàn)R射型。雖然在陰極電弧PVD系統(tǒng)中采用的電弧放電等離子體的特征為大電流和低電壓時(shí)，在濺射PVD系統(tǒng)中采用的輝光等離子體的特征卻為小電流和較高電壓。濺射PVD系統(tǒng)通常包括提供磁場(chǎng)以支持輝光等離子體的電場(chǎng)電離...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。