技術(shù)編號：3389153
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及適用于制造例如ULSI器件等半導(dǎo)體器件的方法中半導(dǎo)體器件拋光的拋光體、拋光設(shè)備、拋光設(shè)備調(diào)節(jié)方法、拋光膜厚度或拋光終點測量方法，還涉及半導(dǎo)體器件的制造方法。隨著半導(dǎo)體集成電路變得越來越細(xì)和集成度越來越高，半導(dǎo)體制造工藝中涉及的各工藝變得越來越多和越來越復(fù)雜。結(jié)果，半導(dǎo)體器件的表面不總是平坦的。半導(dǎo)體器件表面上存在臺階差，會導(dǎo)致布線的臺階斷裂，和電阻的局部增大等，進(jìn)而會引起布線中斷和電容下降。另外，在絕緣膜中，這種臺階差還會引起耐壓下降及漏電。同時...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。