技術(shù)編號(hào):3388886
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及濺射靶及其制造方法,更具體地說(shuō),涉及。背景技術(shù)銦可作為Cu-In-Ga-Se系(CIGS系)薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層形成用的濺射靶來(lái)使用。在以往,如專利文獻(xiàn)I所公開(kāi),銦靶是在背板上附著銦等,然后在背板上設(shè)置模具,在該模具中澆注銦并進(jìn)行鑄造來(lái)制作的。 專利文獻(xiàn)I 日本特公昭63-44820號(hào)公報(bào)。發(fā)明內(nèi)容但是,對(duì)于這種通過(guò)以往的熔化鑄造法制作的銦靶,其成膜速度和放電電壓尚有改善余地。因此,本發(fā)明的課題在于提供成膜速度大且初始放電電壓小、并且自濺射開(kāi)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。