技術(shù)編號：3386468
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種磨具和使用所述磨具的方法。背景技術(shù) 半導(dǎo)體晶片有個(gè)半導(dǎo)體基片。半導(dǎo)體基片可用任何適當(dāng)?shù)牟牧希鐔尉Ч?、單晶砷化鎵和本領(lǐng)域中已知的其它單晶半導(dǎo)體材料制造。在半導(dǎo)體基片表面上有個(gè)介電層。此介電層一般包含二氧化硅，然而，其它合適材料的介電層在本領(lǐng)域中也是可以用的。在介電層的正面有大量不連續(xù)的金屬互連部分(例如金屬導(dǎo)體塊)。每個(gè)金屬互連部分可以是由例如鋁、銅、鋁銅合金、鎢等組成。這些金屬互連部分的制備一般是先在介電層上沉積連續(xù)的金屬層。然后對其進(jìn)行...
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