技術(shù)編號：3385525
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明與一種在該反應室的正常操作模式中，于引入至該反應室中的半成品上形成一含硅層的方法有關(guān)。該半成品在該層產(chǎn)生之后，便再一次從該反應室移除。在該正常操作模式中，在該反應室的腔室壁上或該反應室中的結(jié)構(gòu)上，于該半成品反應期間中形成含硅沉積物。這些沉積物必須在半成品的一特定處理之后，于清潔操作模式中移除。在該清潔操作模式中，使用一種進入該反應室，包含像是完全氟化或部分氟化的含氟化合物，以及額外化合物的清潔氣體混合物，移除該沉積物。該反應室特別是一種等離子輔助化學...
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