技術(shù)編號：3384956
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實施方案涉及化學(xué)機(jī)械平坦化/拋光(CMP)，具體而言，其涉及CMP拋光墊的調(diào)理。背景技術(shù) 化學(xué)機(jī)械平坦化/拋光(CMP)是一種首先在1980年代中期被開發(fā)出來的工藝技術(shù)，它使得能在襯底或晶片上生產(chǎn)集成電路。CMP工藝用來制備晶片，并且用來在這些晶片上制作半導(dǎo)體器件或結(jié)構(gòu)。CMP工藝用來平坦化(即，使其平整)在晶片上的半導(dǎo)體層、在半導(dǎo)體層上的絕緣層以及在絕緣層上具有預(yù)定圖案的導(dǎo)電層。典型的CMP系統(tǒng)包括晶片載體以及安裝在外殼內(nèi)的臺板(platen)。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。