技術編號：3383951
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及一種在大氣開放式條件下采用金屬有機物化學氣相沉積法制備氧化鋅晶須陣列材料的裝置。背景技術ZnO是II-VI族化合物半導體，屬于纖鋅礦結構，由于它具有多種優(yōu)異的物理性質和化學性質，因此無論作為結構材料還是功能材料，目前已經在相當大的范圍內得到了應用。ZnO材料本身具有優(yōu)良的光電、透明導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。寬禁帶ZnO半導體為直接躍遷，室溫帶隙為3.37eV，且束縛激子能高達60meV，是一種具有很大潛在應用價值的紫外半導體光電器件材料。...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。