技術(shù)編號：3376872
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體制備，特別是一種利用金屬有機(MO)前體(precursor)通過化學(xué)氣相沉積(CVD)形成促進導(dǎo)電層(conductivityfacilitating layer)的系統(tǒng)和方法。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，有持續(xù)地增加器件密度、生產(chǎn)量和產(chǎn)出率的趨勢。為了增加器件密度，一直并將持續(xù)地努力使半導(dǎo)體器件尺寸按比例縮小(例如，在亞微米級)。為了達到這種密度，需要更小的特征尺寸和更精確的特征形狀。這可能包括互聯(lián)線的寬度和間距，接觸孔的間距和直徑，以...
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