技術(shù)編號：3374351
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及自旋電子學材料技術(shù)，特別是一種具有較高自旋極化率的新型鐵磁材料及制備方法，更具體地，是一種具有低溫磁電阻效應的Tia53Cra47N外延薄膜材料及制備方法。背景技術(shù)近年來，由于在磁信息存儲和讀取方面具有巨大的應用前景，自旋電子學材料備受關(guān)注。2007年的諾貝爾物理學獎授予了自旋電子學的開創(chuàng)者Albert !^ert和Peter Grunberg兩位教授?，F(xiàn)在，如何獲取高自旋極化的電流仍然是自旋電子學領(lǐng)域的熱點問題之一。獲得高自旋注入的辦法主要有選...
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