技術(shù)編號:3374049
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體集成電路及其制造領域,尤其涉及。 背景技術(shù)在半導體加工工業(yè)中,一般采用形成自對準硅化物工藝,形成半導體裝置上半導體結(jié)構(gòu)的預先界定區(qū)域中的集成低電阻材料。其中,自對準硅化物工藝,是一種使半導體結(jié)構(gòu)的硅區(qū)域與金屬反應形成硅化物區(qū)域的工藝,該自對準的硅化物可在半導體結(jié)構(gòu)上選擇形成,而不必圖案化或蝕刻已沉積的硅化物,藉以形成一些低電阻的區(qū)域。隨著半導體制程的微縮,在65nm及其以下工藝中,鎳(Ni)已經(jīng)被普遍使用來與硅 (Si)材料反應,以在半導體...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。