技術(shù)編號：3373799
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于化學(xué)-機(jī)械拋光的拋光墊。背景技術(shù)化學(xué)-機(jī)械拋光("CMP")過程用于制造微電子裝置以在半導(dǎo)體晶片、集成 電路、場發(fā)射顯示器及許多其他微電子基板上形成平坦表面。舉例而言，半 導(dǎo)體裝置的制造一般包括形成各種工藝層、對這些層的部分進(jìn)行選擇性移除 或圖案化、及在半導(dǎo)體基板表面上方沉積額外的工藝層以形成集成電路。舉 例來說，這些工藝層可包括絕緣層、柵極氧化層、導(dǎo)電層、及金屬或玻璃的 層等。在該過程的某些步驟中一般要求工藝層的最上部表面為平面的，即平...
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