技術(shù)編號(hào)：3367453
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種附著有包含鋁和過渡金屬的氮化層的。 背景技術(shù)通常，通過在基板上沉積薄膜的沉積工藝、使用感光材料暴露或覆蓋薄膜的選擇 區(qū)域的光刻工藝、以及對(duì)薄膜的選擇區(qū)域構(gòu)圖的蝕刻工藝來制造半導(dǎo)體器件、顯示設(shè)備或 薄膜太陽能電池。在基板上形成包含金屬化合物的薄膜的沉積工藝中，在基板上沉積薄膜的同時(shí)， 在處理室的內(nèi)表面上也沉積了金屬化合物的薄膜。如果薄膜堆積在處理室的內(nèi)表面上，則 堆積的薄膜可能脫落，并且微小顆粒會(huì)落在基板上，由此降低基板上沉積的薄膜的性能。因 ...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。