技術(shù)編號(hào):3366238
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光電技術(shù)中III-V族氮化物P型摻雜領(lǐng)域,具體是關(guān)于金屬催化脫氫 提高鎂摻雜氮化物激活效率的方法。背景技術(shù)長(zhǎng)期以來(lái),氮化鎵(GaN)基光電子器件的發(fā)展一直受到ρ型GaN質(zhì)量的制約。自 從Nakamura在ρ型GaN材料制備上取得的突破性進(jìn)展,鎂就成為了應(yīng)用最為廣泛的III/ V族氮化物的ρ型摻雜劑。但目前制備具有高的空穴濃度、低電阻率及高晶體質(zhì)量的鎂摻 雜ρ型GaN材料仍然困難重重,遠(yuǎn)沒(méi)有達(dá)到人們的預(yù)期目標(biāo)。例如對(duì)于藍(lán)綠光LED的應(yīng)用 來(lái)說(shuō),ρ型...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。