技術(shù)編號(hào)：3365163
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，更具體地說，涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨方法和系統(tǒng)。背景技術(shù)隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI，Ultra Large Scale htegration)的飛速發(fā)展，集成電路制造工藝變得越來越復(fù)雜和精細(xì)，對(duì)晶片表面的平整度要求也越來越嚴(yán)格。而現(xiàn)在廣泛應(yīng)用的多層布線技術(shù)會(huì)造成晶片表面起伏不平，對(duì)圖形制作極其不利，為此，需要對(duì)晶片進(jìn)行平坦化(Planarization)處理，使每一層布線都具有較高的全局平整度。目前，化學(xué)機(jī)械研磨法(CMP，Chemi...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。